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顯著減少紫外線缺陷的FBPI光纖

發(fā)布時間:2013-01-29 責(zé)任編輯:abbywang

【導(dǎo)讀】Polymicro FBPI光纖提供業(yè)界首個全景攝譜儀和傳感器分析,這款基于硅石的專有FBP光纖優(yōu)化用于NIR衰減和抗紫外線曝曬,提升較寬光譜范圍的傳輸性能。


全球領(lǐng)先的全套互連產(chǎn)品供應(yīng)商Molex公司宣布,其子公司Polymicro Technologies成功地開發(fā)了一款使用低氫氧基(low-OH)純硅石內(nèi)芯的寬光譜光纖,該光纖具有顯著減少的紫外線(UV)缺陷和其它UV吸收中心點含量。Polymicro的專有FBPI光纖利用了標(biāo)準(zhǔn)光纖的優(yōu)勢并減少其限制?;诠枋膶拵BPI光纖在大大增寬的光譜范圍具有改進的傳輸特性,提供一系列密度選擇,能夠制造50-600 μm內(nèi)芯直徑光纖。

Polymicro Technologies業(yè)務(wù)發(fā)展經(jīng)理Robert Dauphinais表示:“我們新的寬光譜FBPI光纖經(jīng)優(yōu)化用于全景攝譜儀和傳感器分析,創(chuàng)造了業(yè)界第一。FBFI光纖提供了出色的性能,并結(jié)合了耐輻射和耐曝曬性能,防止輻射和曝曬導(dǎo)致光纖性能退化并縮短產(chǎn)品壽命。”

圖題:低氫氧基(low-OH)純硅石內(nèi)芯的寬光譜光纖
圖題:低氫氧基(low-OH)純硅石內(nèi)芯的寬光譜光纖

在超過2100 nm的近紅外(NIR)波長區(qū)域,Polymicro FBPI光纖的衰減等同于具有低氫氧基硅石內(nèi)芯和加氟覆層的標(biāo)準(zhǔn)NIR光纖,其抗曝曬性能可與具有高耐輻射性的標(biāo)準(zhǔn)UV優(yōu)化高氫氧基光纖相媲美,并且具有低至200 nm的UV傳輸性能。

許多光譜應(yīng)用需要在寬光譜范圍傳輸光線,并且具有最小焦比衰退的高性能光纖。與受限于傳輸光譜范圍的標(biāo)準(zhǔn)光纖不同,Polymicro FBPI光纖可以在較寬的波長范圍進行傳輸,在整個波長范圍具有相對的一致性。

Dauphinais補充道:“與現(xiàn)今市場上的任何其它光纖相比,F(xiàn)BPI光纖可以在較寬的波長范圍應(yīng)對UV曝曬和NIR衰減,這在擴大光譜測量范圍和提高器件靈敏度方面具有顯著的優(yōu)勢。”

FBPI寬帶光纖設(shè)計用于一系列高性能光譜應(yīng)用,包括光纖測試、環(huán)境監(jiān)控、氣相測量、精密外科和工業(yè)激光應(yīng)用及高性能氣體或液體色譜法。

關(guān)于Molex Incorporated

除連接器外,Molex 還為眾多市場提供完整的互連解決方案,范圍涵蓋數(shù)據(jù)通信、電信、消費類電子產(chǎn)品、工業(yè)、汽車、醫(yī)療、軍事和照明。公司成立于1938年,在全球16個國家擁有40家生產(chǎn)工廠。
 

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